Le futur smartphone dernière génération d’Apple, l’iPhone 7 devrait connaitre une avancée technologie supérieure sur tous points de vue et plus particulièrement sur la mémoire vive de celui-ci.
Apple présentera sans aucun sa toute nouvelle version d’iPhone lors du dernier trimestre de l’année 2015, mais en attendant de connaître le nom exacte (iPhone 6S ou iPhone 7) de ce futur terminal, les rumeurs font états de caractéristiques techniques tout bonnement exceptionnelles.
La firme Cupertino souhaite se faire remarquer non pas par une fiche technique hors du commun mais plutôt par du concret et des innovations totalement inédites pour un terminal haut de gamme.
La principale innovation devrait porter sur la mémoire vive, en effet le dernier iPhone 6 possède une mémoire vive de 1 GO de Ram, vraiment faible pour un smartphone de cette trempe mais tout à fait efficace pour son utilisation de tous les jours.
Néanmoins selon sources proches de la firme, Apple proposera une version de sa mémoire vive améliorée sur son prochain terminal et pourrait donc embarquée une mémoire vive de 2 Go de Ram avec forfat LPDDR4.
Un avantage non négligeable pour les transfert de données mais qui ne devrait pas non plus rendre un effet sur dimensionné, Apple s’attachant à rendre toujours un produit de qualité dans son utilisation.
Affaire à suivre…
Pourquoi ne pas mettre d’entrée 2 Go ?. J’attendrai, dommage.